Cara Membuat GDT - Haris Volt Elektronik

 Yg mungkin banyak pertanyaan adalah bagaimana cara membuat GDT yang benar? Ada berbagai macam cara untuk dilakukan...namun cara yg paling mudah jika anda memiliiki L meter....terutama untuk mengetahui berapa banyaknya lilitan untuk primer nya....jika anda punya L meter buatlah lilitan supaya didapat antara 2,5mH - 3,5mH lilitan sekitar 30-40. Bagi anda yg tidak punya L meter saya pandu agar memperoleh hasil yg tidak kalah dengan yg punya alat ukur...bagaimana caranya?

Untuk gdt 2,5-3,5mH itu yg optimal XL-nya brp pakde?

Harga XL sekitar 500-600 ohm, pada frekwensi 22-29khz.

 Jika harga L terlalu kecil maka akan membebani drivernya...agar XL besar maka frekwensi operasi harus ditinggikan...ini akan berdampak pada trafo utamanya yg pake ferrit non gap...yg tidak bisa dioperasikan diatas frekwensi 30khz karena mudah jenuh dan timbul histerisis yg besar pemicu timbulnya arus eddy..ferrit yg mampu pada frekwensi tinggi susah dicari, dan ferit yg mudah jenuh agar tidak jenuh dibuatkan gap, namun timbul transcient dan menurunnya efisiensi transfer daya...nah begitulah ceritanya.

Jika yg tidak punya L meter maka cara yg mudah...yg sebenarnya sulit adalah sbb:
Sudah punyakah anda alat test trafo yg pake IC NE555?
Tambahkan IC NE555 satu lagi...gabung pin 2 dan 6 lalu sambungkan ke pin 3 pada IC yg sudah jadi (alat test trafo) dan lepaskan Gate FET nya...set frekwensi pada 25khz hubungkan pada salah satu pin 3 dari IC NE555 sebuah C 47nF, dan sambungkan pada lilitan primer GDT ... secara seri...lalu ukur dengan probe berapa tegangan yg timbul?
Jika lilitan anda pas maka akan terukur tegangan pada L primer sebesar 2 kali VCC atau 24V...jika kurang dari 24 V berarti lilitan terlalu banyak, jika lebih dari 24V maka lilitan terlalu sedikit, tambahlah lilitan yg kurang, dan kurangi lilitan yg lebih, , ingat bahan ferit yg dipake menentukan banyaknya lilitan, saya memberikan referensi ini jika anda pake toroid T25....ini pun tidak mutlak...yg tepat yah seperti yg saya jelsaakan diatas...

Mengapa acuan nya 24V? Ini dimaksudkan jika akan membuat lilitan agar jumlah primernya akan 2 kali dari sekunder, dan pada output nanti akan keluar tegangan 12V dan cukup untuk mentriger power swtch nya. Mungkin ada yg paham bagaimana skemanya penambahan satu lagi IC NE555...dan cara koneksinya...monggo di upload skemanya....

Skemanya betul cuma pasang bebannya yg belum pas...beban L dan C tersambung antara pin3 IC1 ke pin3 IC2...cara ini disebut BTL....Brit tied lod....atur frekwensi agar didapat 25khz dan pada L terdapat tegangan 24V....jika itu didapat berarti lilitan primer GDT sudah pas...buat lilitan sekunder sama dengan primer atau separo dari primer, sebab Vtg minim 7V dan max 25V....kita ambil 12V.....20V nah mudah sekali kan?

 Betul sepert utk menghasilkan frek 25khz bisa dihitung pake rumus NE555
F = 1,44/(RA+2RB) * Ci itu

Mengapa pake frek 25kz...sebab frekwensi berkisar 22-29khz jadi diambil ditengah yairu 25khz...berapakah harga RB nya? Silakan hitung sendiri....

GDT adalah cara paling mudah untuk mentriger gate fet, sbb komponen GDT dapat mengisolasi sirkit dari sirkit satu dengan yg lain...dan lebih bagus dibanding dengan sistem boostrap, cuma ada kekurangan dalam komponen GDT ini.... apa kekuranganya?
Karena dibentuk dari kumparan maka faktor induktor tersebut dapat menggeser fasa karena adanya histerisis...terutama jika pada frekwensi tinggi, dan cenderung arus tertinggal terhadap tegangannya, semakin tinggi frekwensi maka geseran fasa semakin besar dan mencapai puncak tertinggalnya jika terjadi resonansi... mengapa bisa terjadi resonansi? Ingat input fet atau Gate terhadap Source ada kapasitas bawaan yg cukup besar...sekitar 2000pf rata rata....apa pengaruh nya terhadap GDT?

Komponen yg berupa kapasitas atau kapasitor memiliki sifat meneruskan arus AC dan memblokir arus DC.... atau jika diterjemahkan pada sinyal frekwensi tinggi beban kapasitor (C) akan menghubung singkat sinyal, namun pada sinyal frekwensi nol (DC) C adalah beban yg nol....atau tidak membebani sama sekali terhadap sinyal DC...

Untuk menjelaskan ini perlu teori ttg reaktansi kapasitif atau XC yg sangat berpengaruh terhadap arus Gate Trigger...Driver Gate Fet. Dalam kondisi normal arus Gate paling membutuhkan arus sebesar 1mA.....ini dalam kondisi diterapkan pada sirkit DC....sehingga faktor XC akan di abaikan, namun pada kondisi tertentu terutama dioperasikan pada frekwensi tinggi maka XC akan menahan arus AC yg masuk ke Gate...sehingga kebutuhan Gate yg semula cukup 1mA akan berubah melonjak berlipat ganda...bahkan bisa sampe 1000 x dari kondisi normal...atau dikatakan arus gate butuh yg besar walau sebenarnya yg berguna sangat kecil....jika arus drive gate mencapai 1000mA ini karena adanya XC yg menghubung singkat sumber....istilah XC dalam teknik elektronik disebut ESR atau XC di samakan dengan R. (Equivalent Series Resistance) walau bukan R yg sebenarnya...disamping ada ESR kapasitif juga ada ESR induktif ... pada GDT karena berupa induktor maka ada ESR nya juga .....

Untuk gulung GDT itu sangat mudah...namun kemudahan tersebut sebenarnya sangat komplex teorinya dan sangat sulit untuk mencapai yg ideal...karena harus mengetahui ttg strukturnya dari material sampai kelistrikannya...dan perlu pendukung alat ukur yg memadai...
Cari mudah nya saja ... gulung GDT sebanyak yg disukai...gak perlu tahu teorinya...bikin mumet saja...iya to? Sebab untuk ngukur ESR Gate Fet berapa ohm? Coba di test Fet punya ESR berapa? Nah jika tahu ESR nya maka tahu pula pula berapa arus Gate pada tegangan minimum 7V... dan maksimum 24V atau tipykal 10V...nah itu dia biang keladi dari penyebab FET panas... ESR bisa merubah bentu sinyal blok menjadi segitiga yg menghasilkan Vth jadi panjang waktunya.....